當(dāng)IO是高電平時(shí)，三極管Q1導(dǎo)通，GNDQ信號(hào)傳遞到MOS管Q3的G極，此時(shí)Vgs=-20V，M...當(dāng)IO是高電平時(shí)，三極管Q1導(dǎo)通，GNDQ信號(hào)傳遞到MOS管Q3的G極，此時(shí)Vgs=-20V，MOS管導(dǎo)通。 當(dāng)IO是低電平時(shí)，三極管Q1關(guān)閉，20V信號(hào)傳遞到MOS管QQ3的G極，此時(shí)Vgs=...
對(duì)于NPN來說，使Ube
控制板mos管KNF6180A漏源擊穿電壓800V，漏極電流10A；采用專用新型技術(shù)生產(chǎn)，極...控制板mos管KNF6180A漏源擊穿電壓800V，漏極電流10A；采用專用新型技術(shù)生產(chǎn)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.0Ω，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能；快速...
熱阻的符號(hào)為Rth和θ。 單位是℃/W（K/W）。 熱阻是一個(gè)物理量，用于描述在有...熱阻的符號(hào)為Rth和θ。 單位是℃/W（K/W）。 熱阻是一個(gè)物理量，用于描述在有溫度差的情況下，物體抵抗傳熱能力的強(qiáng)弱。熱導(dǎo)率越好的物體，其熱阻通常越低。
SOD-123封裝尺寸與1206封裝尺寸是對(duì)應(yīng)的。1206封裝尺寸為1.2mm×1.6mm，對(duì)應(yīng)二...SOD-123封裝尺寸與1206封裝尺寸是對(duì)應(yīng)的。1206封裝尺寸為1.2mm×1.6mm，對(duì)應(yīng)二極管SOD-123封裝。 sod323長(zhǎng)度比sod123短1.0毫米，寬度短0.3毫米，高度短0.1毫米。...
KIA28N50HH場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0....KIA28N50HH場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.16mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，降低功耗、提升效率；低柵極電荷、低Crss、改進(jìn)的d...
