先找并聯(lián)、再找串聯(lián)，相互并聯(lián)的兩個電阻可以去掉其中一個作為一個”外掛“并在...先找并聯(lián)、再找串聯(lián)，相互并聯(lián)的兩個電阻可以去掉其中一個作為一個”外掛“并在另一個旁邊，相互串聯(lián)的兩個電阻直接看成一個電阻，如下圖；
熱阻的計算公式：R = ΔT / P， 其中： R 代表熱阻，單位是℃/W（或者開爾文...熱阻的計算公式：R = ΔT / P， 其中： R 代表熱阻，單位是℃/W（或者開爾文每瓦特 K/W）。 ΔT 是溫度差，表示物體兩端的溫差，單位是℃。 P 是功率，表示施...
KNH2908D場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.8m...KNH2908D場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.8mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；低電流以減少導(dǎo)電損耗、高雪崩電流，性能優(yōu)越，高效穩(wěn)...
反相降壓升壓轉(zhuǎn)換器使用p溝道MOSFET作為開關(guān)，但p溝道MOSFET的一大缺點是其內(nèi)阻...反相降壓升壓轉(zhuǎn)換器使用p溝道MOSFET作為開關(guān)，但p溝道MOSFET的一大缺點是其內(nèi)阻。如果考慮一個通用的IRF9540 p溝道MOSFET，內(nèi)阻是0.22R或220ms，但如果考慮它的互...
電路中VT1與VT2組成互補多諧振蕩器，它的振蕩頻率約為2kHz。T是升壓變壓器，初...電路中VT1與VT2組成互補多諧振蕩器，它的振蕩頻率約為2kHz。T是升壓變壓器，初級就是互補多諧振蕩器的負(fù)載，次級為升壓繞組，輸出一個較高的脈沖電壓。
電機控制器mos管KNG3404D漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) ...電機控制器mos管KNG3404D漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 10.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，降低功耗、提升效率；低電流以減少導(dǎo)電損耗、高雪...
