KND3403B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，使用KIA的LVMosfet技術(shù)生產(chǎn)，...KND3403B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，使用KIA的LVMosfet技術(shù)生產(chǎn)，經(jīng)過(guò)改進(jìn)的工藝和單元結(jié)構(gòu)特別定制，性能出色；低導(dǎo)通電阻RDS(on)=4.5mΩ，最大限度...
集成電路一般是指芯片的集成，像主板上的北橋芯片、CPU內(nèi)部都是被歸于集成電路...集成電路一般是指芯片的集成，像主板上的北橋芯片、CPU內(nèi)部都是被歸于集成電路，而PCB指得是我們經(jīng)?？匆?jiàn)的綠色電路板，還有在電路板上的印刷焊接芯片。 對(duì)于這兩...
引腳長(zhǎng)度不同：通常LED的正極引腳（陽(yáng)極）比負(fù)極引腳（陰極）要長(zhǎng)一些。在電路...引腳長(zhǎng)度不同：通常LED的正極引腳（陽(yáng)極）比負(fù)極引腳（陰極）要長(zhǎng)一些。在電路圖中，正極引腳一般會(huì)畫(huà)得更長(zhǎng)，或者在引腳旁邊標(biāo)注“+”符號(hào)，而負(fù)極引腳則較短。 ...
KIA2301是一款高效穩(wěn)定的P溝MOSFET，漏源擊穿電壓20V，漏極電流為2.8A；極低RD...KIA2301是一款高效穩(wěn)定的P溝MOSFET，漏源擊穿電壓20V，漏極電流為2.8A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計(jì)，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提高了整機(jī)的能效；無(wú)鉛產(chǎn)品、堅(jiān)...
ZVS電路主要由功率開(kāi)關(guān)管、諧振電感、諧振電容、二極管等組成。 1.啟動(dòng)過(guò)程：...ZVS電路主要由功率開(kāi)關(guān)管、諧振電感、諧振電容、二極管等組成。 1.啟動(dòng)過(guò)程：電源通過(guò)電阻使兩個(gè)開(kāi)關(guān)管Q1和Q2導(dǎo)通，電流通過(guò)電感L1逐漸增加。由于兩個(gè)開(kāi)關(guān)管的特...
MOS管的寄生參數(shù)是指在集成電路設(shè)計(jì)中，除MOS管基本電氣特性（如柵極電壓、漏極...MOS管的寄生參數(shù)是指在集成電路設(shè)計(jì)中，除MOS管基本電氣特性（如柵極電壓、漏極電壓、柵極電流等）外，由于制造工藝、封裝方式以及電路布局等因素而產(chǎn)生的額外參數(shù)...
