大功率升壓電路原理圖,大功率電路設(shè)計(jì)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-03-18
應(yīng)用元件：
C1,C2,C5,C6,C8：輸入與輸出穩(wěn)壓濾波電容。
C9:HVDD濾波電容。
C3：HVDD經(jīng)過內(nèi)部穩(wěn)壓管到Vcc產(chǎn)生5V，此電壓會(huì)提供內(nèi)部電路與驅(qū)動(dòng)MOS，需要加穩(wěn)壓電容。
C4,C10,R4：系統(tǒng)補(bǔ)償回路元件，關(guān)系到LX方波穩(wěn)定度與瞬時(shí)響應(yīng)速度。
R1,R2：FB分壓電阻，決定輸出電壓。
R3：改變阻值，調(diào)整過電流保護(hù)點(diǎn)。
R10：EN到輸入上拉電阻，控制EN下拉地，關(guān)閉IC。
Rout:HVDD限流電阻1000,避免輸出電壓過高，擊傷IC。
C12,R8：突波吸收元件，降低LX開關(guān)切換突波，一定要接。
L1：電感具有儲(chǔ)能與濾波功用，感值越大電感漣波越小，相對(duì)感值越小漣波越大。選用電感 注意電感是否適合高頻操作，及電感額定飽和電流值。
D1：當(dāng)LX截止時(shí)，D1蕭特基管導(dǎo)通，提供電感放電回路。
基于TL494的反相Buck-Boost轉(zhuǎn)換器的完整電路圖如下所示。
電路分為三部分，第一部分是TL494 PWM控制器。TL494 PWM控制器驅(qū)動(dòng)MOSFET。該IC配置為以100KHz開關(guān)頻率切換，適用于這種類型的應(yīng)用。
上面左側(cè)的原理圖中所示，反相降壓升壓轉(zhuǎn)換器使用p溝道MOSFET作為開關(guān)，但p溝道MOSFET的一大缺點(diǎn)是其內(nèi)阻。如果考慮一個(gè)通用的IRF9540 p溝道MOSFET，內(nèi)阻是0.22R或220ms，但如果考慮它的互補(bǔ)n溝道的IRF540，內(nèi)阻是0.077R或77ms，比p溝道小3倍。這樣做是為了使用n溝道MOSFET來驅(qū)動(dòng)電路，左邊的上述簡化電路正好顯示了這一點(diǎn)。它使用n溝道MOSFET而不是p溝道。
電路的最后一部分是差分放大器。差分放大器接收兩個(gè)電壓值，找出這兩個(gè)值之間的差值，并將其放大。由此產(chǎn)生的電壓可以從輸出引腳獲得。
最后，電阻R19和R20形成一個(gè)分壓器，將電壓反饋到TL494 IC的引腳1，該引腳1根據(jù)負(fù)載情況調(diào)節(jié)PWM脈沖。
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號(hào)
關(guān)注官方微信公眾號(hào)：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。
