逆變器 MOS管 KIA13N50 13A/500V規(guī)格書-原廠直銷 免費送樣-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-12-15
KIA13N50 N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。
產品編號：KIA13N50
漏極至源極電壓（VDSS）：500V
柵源電壓（VGSS）：±30V
漏極電流 （連續(xù)）（lD）：13A
耗散功率（PD）：195W
工作溫度：±150℃
擊穿電壓溫度：0.5/℃
輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升時間：VDD=250V，ID=13A，RG=25Ω
RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的45nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
主要適用于高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。
以下為KIA13N50產品PDF格式的產品詳細資料，查看詳情請點擊下圖。
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