MOSFET沒(méi)有存儲(chǔ)時(shí)間 ，只存一個(gè)關(guān)斷延遲時(shí)間 。關(guān)斷延遲時(shí)間是柵極電壓從最高電...MOSFET沒(méi)有存儲(chǔ)時(shí)間 ，只存一個(gè)關(guān)斷延遲時(shí)間 。關(guān)斷延遲時(shí)間是柵極電壓從最高電壓（約為OV ） 下降到電壓 Vd1 圖 9.3 b所需的時(shí)間 。在這個(gè)時(shí)間段內(nèi)漏極電流保持不...
MOSFET 管還有N個(gè)方法 ，就是設(shè)它的最大結(jié)點(diǎn)溫度一一比如說(shuō)可以將其設(shè)為 100℃...MOSFET 管還有N個(gè)方法 ，就是設(shè)它的最大結(jié)點(diǎn)溫度一一比如說(shuō)可以將其設(shè)為 100℃。然后假設(shè)一個(gè)合理的較低的 MOSFET 管結(jié)點(diǎn)到外殼的溫升 （ 這樣就小需里太低的外 殼...
導(dǎo)通瞬間基極過(guò)驅(qū)動(dòng)峰值輸入電流／bl為了保證迅速導(dǎo)通集電極電流，需要有一個(gè)持...導(dǎo)通瞬間基極過(guò)驅(qū)動(dòng)峰值輸入電流／bl為了保證迅速導(dǎo)通集電極電流，需要有一個(gè)持續(xù)時(shí)間很短且峰值約為導(dǎo)通期間平均值2～3倍的基極尖峰電流供給基極。該尖峰的持續(xù)時(shí)...
開(kāi)關(guān)電源發(fā)生過(guò)電壓、過(guò)電流短路時(shí)，保護(hù)電路使開(kāi)關(guān)電源停止工作以保護(hù)負(fù)載和電...開(kāi)關(guān)電源發(fā)生過(guò)電壓、過(guò)電流短路時(shí)，保護(hù)電路使開(kāi)關(guān)電源停止工作以保護(hù)負(fù)載和電源本身。 線性電源一般是將輸出電壓取樣后與參考電壓起送入比較電壓放大器，此電壓...
①由于高壓MOSFETPWM及驅(qū)動(dòng)電路等集成在一個(gè)芯片里，大大提高了電路的集成度，...①由于高壓MOSFETPWM及驅(qū)動(dòng)電路等集成在一個(gè)芯片里，大大提高了電路的集成度，所以用該芯片設(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)電源，外接元器件少，可降低成本，縮小體積，提高可靠性；②...
它們大多應(yīng)用于低功 率場(chǎng)合 ，這些電路通過(guò)各種方法來(lái)達(dá)到以 F兩個(gè)目標(biāo) ：①用...它們大多應(yīng)用于低功 率場(chǎng)合 ，這些電路通過(guò)各種方法來(lái)達(dá)到以 F兩個(gè)目標(biāo) ：①用最少的元器件獲得反向基極電壓和反向基極電流，或者在關(guān)斷和導(dǎo)通的過(guò)相巾將基極和發(fā)...
