KNP2803S場效應(yīng)管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽加工技術(shù)，實現(xiàn)極...KNP2803S場效應(yīng)管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽加工技術(shù)，實現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗；低柵極電荷、低反向傳輸電...
如圖所示，用12V直流電給變壓器初級繞組供電，MOS管Q1控制初級繞組的通斷。穩(wěn)壓...如圖所示，用12V直流電給變壓器初級繞組供電，MOS管Q1控制初級繞組的通斷。穩(wěn)壓管D3和R3用于保護MOS管（出入端有大電壓時，穩(wěn)壓管發(fā)生齊納擊穿，將能量快速傳遞到...
220v的交流電經(jīng)過T0雙向濾波環(huán)節(jié)，以抑制干擾。隨后，D1將其整流為脈動直流，再...220v的交流電經(jīng)過T0雙向濾波環(huán)節(jié)，以抑制干擾。隨后，D1將其整流為脈動直流，再經(jīng)由C11進行濾波，從而得到穩(wěn)定的約300V直流電。在這條電路中，U1作為TL3842脈寬調(diào)...
KNY2803A場效應(yīng)管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽加工技術(shù)，實現(xiàn)極...KNY2803A場效應(yīng)管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽加工技術(shù)，實現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗；低柵極電荷、改進的dv/dt能...
當IO是高電平時，三極管Q1導(dǎo)通，GNDQ信號傳遞到MOS管Q3的G極，此時Vgs=-20V，M...當IO是高電平時，三極管Q1導(dǎo)通，GNDQ信號傳遞到MOS管Q3的G極，此時Vgs=-20V，MOS管導(dǎo)通。 當IO是低電平時，三極管Q1關(guān)閉，20V信號傳遞到MOS管QQ3的G極，此時Vgs=...
對于NPN來說，使Ube
