10N65現(xiàn)貨供應商 KIA10N65 65A/600V KIA10N65 PDF文件-KIA 官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-02-01
KIA10N65 N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計用于高壓、高速功率開關應用，如高效率開關電源用品，有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器基于半橋拓撲。
KIA10N65特征
RDS(on) =0.65? @ V GS =10V
低柵極電荷（典型的48nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
產(chǎn)品型號：KIA10N65
工作方式：10A/650V
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：10A
脈沖漏極電流：40A
雪崩能量：709mJ
耗散功率：52W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：650V
溫度系數(shù)：0.7V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1650 PF
輸出電容：1665 PF
上升時間：70 ns
封裝形式：TO-220F
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KIA10N65（10A 650V） |
| 產(chǎn)品編號 | KIA10N65/HF/HP |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產(chǎn)品工藝 |
KIA10N65 N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計用于高壓、高速功率開關應用，如高效率開關電源用品，有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器基于半橋拓撲。 |
| 產(chǎn)品特征 |
RDS(on) =0.65? @ V GS =10V 低柵極電荷（典型的48nc） 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
適用于高壓、高速功率開關應用，如高效率開關電源用品，有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器基于半橋拓撲。 |
| 封裝形式 | TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | m.8090abc.com |
| PDF頁總數(shù) | 總5頁 |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
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