24N50現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA24N50 24A/500V KIA24N50 PDF文件-KIA 官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-02-01
KIA10N65特征
RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V
低柵極電荷（典型的90nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進(jìn)的dt／dt能力
產(chǎn)品型號：KIA24N50
工作方式：24A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：24A
脈沖漏極電流：96A
雪崩能量：1150mJ
耗散功率：290W
熱電阻：40℃/W
漏源擊穿電壓：500V
溫度系數(shù)：0.5V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：3500 PF
輸出電容：520 PF
上升時間：35 ns
封裝形式：TO-3P
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KIA24N50（24A 500V） |
| 產(chǎn)品編號 | KIA24N50/HH |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產(chǎn)品工藝 |
功率MOSFET采用先進(jìn)的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關(guān)性能，以及在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖 |
| 產(chǎn)品特征 |
RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V 低柵極電荷（典型的90nc） 高耐用性 快速切換 100%雪崩測試 改進(jìn)的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適合于高效率開關(guān)電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正 |
| 封裝形式 | TO-3P |
| PDF文件 |
 【直接在線預(yù)覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | m.8090abc.com |
| PDF總頁數(shù) | 總5頁 |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
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