3n150場效應管參數(shù),3a1500v,KNL42150A代換mos資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-01-03
3n150場效應管代換型號KNL42150A漏源擊穿電壓1500V，漏極電流3A，導通電阻RDS(on)=5.5Ω，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，減少開關(guān)損耗；具有高開關(guān)頻率、低驅(qū)動電流，高可靠性，適用于高速轉(zhuǎn)換、高速開關(guān)應用場景，在變頻器電源和逆變器、適配器、充電器、SMPS待機電源中確保高效的電能轉(zhuǎn)換；封裝形式：TO-3PF，全隔離塑料包裝，提供良好的電氣連接和隔離。
漏源電壓：1500V
漏極電流：3A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：12A
單脈沖雪崩能量：500MJ
功率耗散：90W
閾值電壓：2.5-4.5V
總柵極電荷：35nC
輸入電容：1500PF
輸出電容：30PF
反向傳輸電容：93PF
開通延遲時間：28nS
關(guān)斷延遲時間：55nS
上升時間：50ns
下降時間：53ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
