?50n03,30v50amos,KIA50N03BD場效應(yīng)管參數(shù)資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-12-16
KIA50N03BD場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進的溝槽工藝技術(shù)，高密度電池設(shè)計，具有超低導通電阻RDS(開啟) 6.5mΩ，最大限度地減少導電損耗，完全表征雪崩電壓和電流，穩(wěn)定可靠；低柵電荷、低反饋電容、開關(guān)速度快以及改進的dv/dt能力，在開關(guān)電源、電池管理、逆變器、驅(qū)動電機中應(yīng)用表現(xiàn)出色，封裝形式：TO-252。
漏源電壓：30V
漏極電流：50A
柵源電壓：±20V
閾值電壓：1.6V
脈沖漏電流：200A
單脈沖雪崩能量：85MJ
功率耗散：60W
總柵極電荷：25nC
輸入電容：1200PF
輸出電容：150PF
反向傳輸電容：115PF
開通延遲時間：4.6nS
關(guān)斷延遲時間：40nS
上升時間：35ns
下降時間：16ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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