大電流mos管

由于功率MOSFET熱穩(wěn)定性好，故比雙極型晶體管并聯(lián)連接簡(jiǎn)單?？墒遣⒙?lián)連接MOSFET用于高速開(kāi)關(guān)則末必簡(jiǎn)單，從現(xiàn)象看并聯(lián)連接會(huì)發(fā)生以下兩個(gè)問(wèn)題：

1） 電流會(huì)集中某一個(gè)器件中。

2 ） 寄生振蕩。

并聯(lián)連接方面的問(wèn)題

參數(shù)

Lo：柵、導(dǎo)線(xiàn)電感

LD：漏、導(dǎo)線(xiàn)電感

LS：源、導(dǎo)線(xiàn)電感

Cmi：密勒電容

C_{GS：柵、源間電源}

ra：柵、電阻（多晶硅）

（1）電流會(huì)集到某一個(gè)器件中

這是由于并聯(lián)連接的器件中的某一個(gè)器件早于或遲于其它器件導(dǎo)通或斷開(kāi)而引起的。導(dǎo)通、斷開(kāi)的時(shí)刻差異是由于器件間的閾值電壓和正向傳輸導(dǎo)納等參數(shù)的差別而引起。圖1表明把具有不同VGS（th）和 g.f .s 的功率MOSFET并聯(lián)銜接時(shí)發(fā)生電流不平衡的一個(gè)比如。

驅(qū)動(dòng)級(jí)的輸出阻抗大的時(shí)候，電流不平衡的發(fā)生時(shí)刻由功率MOSFET的輸入電容Ciss而決議。另外，并聯(lián)連接的全部器件導(dǎo)通之后，流到各器件的電流與Rds（on）成反比 。

( 2 ） 寄生振蕩

如把功率MOSFET的柵極直接并聯(lián)銜接，就常常發(fā)生寄生振蕩。如圖2所示，經(jīng)過(guò)各個(gè)器件的漏、柵間電容（ 密勒電容 ）和柵極引線(xiàn)電感構(gòu)成諧振電路 。關(guān)于這個(gè)諧振電路的Q，也即電抗器 （ L 、C ） 對(duì)電阻之比 （Q = i∞/ R ） 非常大，簡(jiǎn)單發(fā)生寄生振蕩。

從以下兩個(gè)方面采取辦法 ：

1)器材的挑選

2)裝置上的考慮

·并聯(lián)連接及辦法

( 1） 把功率MOSFET用作開(kāi)關(guān)器件時(shí)，無(wú)須過(guò)于慎重考慮，由于功率MOSFET的最大脈沖電流允許為直流額定值的 3-4倍，只需極力縮小驅(qū)動(dòng)級(jí)的輸出阻抗就行．把功率MOSFET用在線(xiàn)性電路時(shí)，只挑選同一批產(chǎn)品是不行的 ，與雙極型晶體管一樣外加源電阻使之平衡是很有必要的．

( 2 ）裝置辦法

選用低電感布線(xiàn)是當(dāng)然的，但在并聯(lián)連接中僅用銅板是不行的 ，由于因公共阻擾發(fā)生的 電壓使柵、源間電壓不能平衡，為了防止這點(diǎn)，并聯(lián)連接的各個(gè)器件應(yīng)是徹底持平的布線(xiàn)，應(yīng)如圖3那樣用對(duì)稱(chēng)的布線(xiàn) ，但因裝置上的約束，不行能用對(duì)稱(chēng)布錢(qián)時(shí)，這時(shí)同軸的（多股絞合線(xiàn)、帶狀線(xiàn) ） 布線(xiàn)也是很有用的。如圖4那樣，經(jīng)過(guò)薄的絕緣膜把銅板制成的漏和源的布線(xiàn)。

分別做成多層結(jié)構(gòu)，則由于布線(xiàn)發(fā)生電感的一起也發(fā)生電容 ，而構(gòu)成圖5的等效電路。由電感發(fā)生的電壓經(jīng)過(guò)電容傳輸使各個(gè)器材的柵  、源間電壓則變得持平。由于功率MOSFET的導(dǎo)通電阻和耐壓有以下的聯(lián)系，即Rds（on）∞BVds2 .4-2.7所以在總芯片面積持平的情況下，如把幾個(gè)低壓MOSFET串聯(lián)連接 ，比1個(gè)高耐壓MOSFET的導(dǎo)通電阻低。圖1表明串聯(lián)連接個(gè)數(shù)和導(dǎo)通電阻下降率之間的聯(lián)系。從此圖中能夠看出 ，用串聯(lián)銜接比提高每個(gè)功率MOSFET的耐壓更有優(yōu)越性 ?？墒?，隨著串聯(lián)連接MOSFET 的個(gè)數(shù)的添加，驅(qū)動(dòng)電路變得復(fù)雜，從成本和裝置上考慮 ，2-5個(gè)MOSFET的串聯(lián)銜接較為適宜。

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