【MOSFET測(cè)試】什么是雙脈沖測(cè)試？-KIA MOS管

通過雙脈沖測(cè)試來評(píng)估MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認(rèn)MOSFET損耗情況。

MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性與橋式電路損耗的關(guān)系

在逆變器電路和Totem Pole型功率因數(shù)改善（PFC）電路等具有2個(gè)以上MOSFET的橋式電路中，由于流過上下橋臂的電流會(huì)使導(dǎo)通損耗增加。

該現(xiàn)象受開關(guān)MOSFET和對(duì)應(yīng)橋臂MOSFET的體二極管（寄生二極管）的反向恢復(fù)特性影響很大。因此，在橋式電路中，體二極管反向恢復(fù)特性優(yōu)異的MOSFET優(yōu)勢(shì)明顯。

什么是雙脈沖測(cè)試？

雙脈沖測(cè)試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開關(guān)元件特性評(píng)估的一種測(cè)試方法。該測(cè)試不僅可以評(píng)估對(duì)象元件的開關(guān)特性，還可以評(píng)估體二極管和IGBT一同使用的快速恢復(fù)二極管（FRD）等的反向恢復(fù)特性。

因此，對(duì)導(dǎo)通時(shí)發(fā)生反向恢復(fù)特性引起損耗的電路的評(píng)估非常有效。雙脈沖測(cè)試的基本電路圖如下所示。

另外，當(dāng)該電路的Q1是續(xù)流用MOSFET、Q2是驅(qū)動(dòng)用MOSFET時(shí)，雙脈沖測(cè)試的基本工作如下表所示?；竟ぷ髦饕梢苑譃棰?、②、③這三種。

當(dāng)定義脈沖發(fā)生器的電壓為VPulse、流過電感的電流為IL、Q2的漏源電壓為VDS_L、Q2的漏極電流為ID_L時(shí)，各模式的工作、電流路徑和波形如表所示。

在工作③中，在Q2導(dǎo)通時(shí)可以觀測(cè)到短路電流（ID_L紅色部分）。這是由Q1體二極管的反向恢復(fù)特性引發(fā)的。

當(dāng)體二極管從ON轉(zhuǎn)換為OFF時(shí)，必須將ON時(shí)所蓄積的電荷進(jìn)行放電。此時(shí)，設(shè)從體二極管釋放出的電荷量為Qrr，釋放電荷所產(chǎn)生的電流峰值為Irr，Q2的功率損耗為Pd_L，則Q2的導(dǎo)通動(dòng)作可以如右圖所示。

ID_L的三角形面積為Qrr、三角形的高為Irr。

一般情況下，當(dāng)續(xù)流側(cè)元件Q1的體二極管反向恢復(fù)特性較差、Qrr也較大時(shí)，驅(qū)動(dòng)側(cè)元件Q2的導(dǎo)通損耗會(huì)增加。因此，在像逆變器電路這樣的流過再生電流的應(yīng)用和Totem Pole型PFC電路中，需要考慮到體二極管的反向恢復(fù)特性對(duì)損耗有較大的影響。

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1

請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)

請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供  MOS管  技術(shù)幫助

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除。