半導體常用名詞解釋-KIA MOS管

半導體名詞解釋

晶面指數(shù)：將晶面截距倒數(shù)之比簡約為互質整數(shù)之比，所得的互質整數(shù)即為晶面指數(shù)。

空間點陣：構成晶體節(jié)點的集合。

離子晶體：正負離子交替排列在晶格格點上，依靠離子鍵結合成的晶體稱為離子晶體。

原子晶體：原子交替排列在晶格格點上，依靠共價鍵結合成的晶體稱為原子晶體。

佛侖克爾缺陷：原子脫離格點后，同時形成空格點和間隙原子，空格點數(shù)等于間隙原子數(shù)，這稱為佛侖克爾缺陷。

肖脫基缺陷：原子或離子離開原來所在的格點位置而形成的只有空位而不存在間隙原子的點缺陷。

施主能級：被施主雜質束縛著的電子的能量狀態(tài)，稱為施主能級。

受主能級：被受主雜質束縛著的電子的能量狀態(tài)，稱為施主能級。

本征半導體：完全沒有雜質和缺陷的理想純凈和完整的半導體。

導帶：在絕對零度溫度下，半導體的價帶是滿帶，受到光電注入或熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶。

價帶：半導體或絕緣體中，在0K時能被電子占滿的最高能帶。

有效質量：粒子在晶體中運動時具有的等效質量。

遷移率：載流子(電子和空穴)在單位電場作用下的平均漂移速度。

雜質散射：載流子運動到電離雜質附近時，由于庫侖勢場的作用，就使載流子運動方向發(fā)生改變。

費米能級：費米能級是絕對零度時電子的最高能級。

準費米能級：在非平衡狀態(tài)下，由于導帶和價帶在總體上處于非平衡，因此就不能用統(tǒng)一的費米能級來描述導帶中的電子和價帶中的空穴按能量的分布問題。但由于導帶中的電子和價帶中的空穴按能量在各自的能帶中處于準平衡分布，可以有各自的費米能級稱為準費米能級。

載流子產生率：單位時間單位體積內產生的電子-空穴對數(shù)。

載流子復合率：單位時間單位體積內復合掉的電子-空穴對數(shù)。

非平衡載流子：處于非平衡狀態(tài)的半導體，其載流子比平衡狀態(tài)多出來的這部分載流子稱為非平衡載流子。

直接復合：電子在導帶和價帶之間直接躍遷而產生復合。

間接復合：電子和空穴通過禁帶的能級進行復合。

陷阱能級：SiO4的能級(導帶底以下0.16ev處)叫陷阱能級。

陷阱效應：雜質或缺陷能收容非平衡載流子的作用稱為陷阱效應。

MOS管原廠：

KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術型企業(yè)，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產品。

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