如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并聯(lián)的主回路和驅(qū)動回路，并設置相關雜...如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并聯(lián)的主回路和驅(qū)動回路，并設置相關雜散參數(shù)，環(huán)境溫度為室溫。 外部主回路：直流源800Vdc、母線電容Capacitor（含寄生參...
MOSFET數(shù)據(jù)手冊中最突出的規(guī)格之一是漏極 - 源極導通電阻，縮寫為R DS （on）。...MOSFET數(shù)據(jù)手冊中最突出的規(guī)格之一是漏極 - 源極導通電阻，縮寫為R DS （on）。這個R DS （on）的想法看起來非常簡單：當FET截止時，源極和漏極之間的電阻非常高 ...
圖1顯示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的兩個不同di/dt速率上測得的輸出電...圖1顯示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的兩個不同di/dt速率上測得的輸出電荷和反向恢復電荷，這代表了一個事物的兩個方面。在左側(cè)，Qrr在360A/μs時測得的值為...
所有半導體器件都具有一定的最大反向電壓額定值（功率 MOSFET 的 BV DSS）。高...所有半導體器件都具有一定的最大反向電壓額定值（功率 MOSFET 的 BV DSS）。高于此閾值的操作將導致反向偏置 pn 結(jié)中的高電場。由于碰撞電離，高電場會產(chǎn)生電子-空...
如果電源電壓上升緩慢并且有噪聲，或者如果電源本身具有電阻（如電池中的電阻）...如果電源電壓上升緩慢并且有噪聲，或者如果電源本身具有電阻（如電池中的電阻），導致電壓隨負載電流下降，那么當比較器輸入超過其UVLO閾值時，比較器的輸出將在高...
