繪制NMOS管的步驟與PMOS管基本相同(新建一個名為NMOS的Ccll)。不同的是NMOS是做...繪制NMOS管的步驟與PMOS管基本相同(新建一個名為NMOS的Ccll)。不同的是NMOS是做在P型襯底上,要有一個N型注入層,這一層要覆蓋整個有源區(qū)。
P-SUB工藝，NMOS 的襯底都是一樣的，都是P-SUB，所以不可以將源極和襯底接一塊...P-SUB工藝，NMOS 的襯底都是一樣的，都是P-SUB，所以不可以將源極和襯底接一塊，不然通過襯底短接會影響其他NMOS的特性，因此NMOS的襯底只能接GND（低電位）；
RDS(on) =3.5mΩ（typ.）@ VGS =10V 100%雪崩測試 可靠、堅固耐用 無鉛和綠...RDS(on) =3.5mΩ（typ.）@ VGS =10V 100%雪崩測試 可靠、堅固耐用 無鉛和綠色設(shè)備可用（符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)）
鉗位器（clamper）可以將輸入波形整體上移或下移，“clamper”在 英語中的原意...鉗位器（clamper）可以將輸入波形整體上移或下移，“clamper”在 英語中的原意是“夾具”的意思，很形象地說明了它可以把波形任意鉗夾在某個電平處。
近年來，以碳化硅（Silicon Carbide, SiC）MOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因...近年來，以碳化硅（Silicon Carbide, SiC）MOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因其具有高開關(guān)頻率、高開關(guān)速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點，已成為高頻、高溫、高功率密度電力...
