bms專(zhuān)用mos管?KND2904A漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟...bms專(zhuān)用mos管?KND2904A漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，減小損耗、提高效率；低跨導(dǎo)、快速切換，高效低耗；10...
為了確保無(wú)閂鎖操作，電路會(huì)自動(dòng)感測(cè)器件中的最負(fù)電壓，并確保N溝道開(kāi)關(guān)源極-基...為了確保無(wú)閂鎖操作，電路會(huì)自動(dòng)感測(cè)器件中的最負(fù)電壓，并確保N溝道開(kāi)關(guān)源極-基板結(jié)不存在正向偏置。振蕩器頻率的標(biāo)稱頻率為10kHz(VCC=5V)，但可以通過(guò)向振蕩器（...
為了實(shí)現(xiàn)兩個(gè)電流方向的阻斷，必須將兩個(gè)MOSFET以相反的極性串聯(lián)。如圖，在這種...為了實(shí)現(xiàn)兩個(gè)電流方向的阻斷，必須將兩個(gè)MOSFET以相反的極性串聯(lián)。如圖，在這種情況下，如果不是兩個(gè)FET都打開(kāi)，那么其中總有一個(gè)體二極管可以阻斷對(duì)向的電流。這...
KNP1906A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流230A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 2.2m...KNP1906A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流230A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 2.2mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有高輸入阻抗、低功耗、開(kāi)關(guān)速度快、高雪...
如圖所示，負(fù)載接在電源與漏極之間。在其柵極上加一個(gè)邏輯高電平，則N-MOSFET導(dǎo)...如圖所示，負(fù)載接在電源與漏極之間。在其柵極上加一個(gè)邏輯高電平，則N-MOSFET導(dǎo)通，負(fù)載得電；在其柵極加一個(gè)邏輯低電平，則N-MOSFET關(guān)斷，負(fù)載失電。
