交流開關(guān) （電流電壓間的 “堆疊”） 損耗由于在 T=O 后很短的時間內(nèi) ，電感呈...交流開關(guān) （電流電壓間的 “堆疊”） 損耗由于在 T=O 后很短的時間內(nèi) ，電感呈現(xiàn)無量大阻抗 ，所以變壓器漏感會使集電極電壓下 降很快。雖然電感上的電流不能突變...
諧振型半橋電路 和全橋電路是最有用的 SCR 電路。半橋電路僅用 兩個額定有效值...諧振型半橋電路 和全橋電路是最有用的 SCR 電路。半橋電路僅用 兩個額定有效值為 SOOY 、45A 的 SCR ( Marconi ACR25U08LG ），就能夠從經(jīng)過整流的220V交流電網(wǎng)上...
在設(shè)計電路時，首先要決議為PWM芯片供電的輔助電源是接輸出地還是接輸入地。在...在設(shè)計電路時，首先要決議為PWM芯片供電的輔助電源是接輸出地還是接輸入地。在大多數(shù)場所中，輸入地和輸出地之間都有直流隔離。帶負(fù)載的輸出端接輸出地。主開關(guān)功...
在過去的十幾年中，大功率場效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的反動，而且大大地促進(jìn)了電子...在過去的十幾年中，大功率場效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的反動，而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)的展開。由于MOSFET管具有更快的開關(guān)速度，電源開關(guān)頻率可以做得更高，可以從5...
MOSFET管的內(nèi)部構(gòu)造中，漏源極之間存在一個固有的寄生二極管，如圖9.18所示。體...MOSFET管的內(nèi)部構(gòu)造中，漏源極之間存在一個固有的寄生二極管，如圖9.18所示。體二極管的極性能夠阻止反向電壓經(jīng)過MOS阻T管，其正向電流接受才能和反向額定電壓與M...
電壓饋電串聯(lián)諧振半橋拓?fù)溥@種拓?fù)淙鐖D 16.23 所示。運(yùn)用于交流輸入為230V 的場...電壓饋電串聯(lián)諧振半橋拓?fù)溥@種拓?fù)淙鐖D 16.23 所示。運(yùn)用于交流輸入為230V 的場所，它的優(yōu)點是去掉了交流整流 后串聯(lián)的濾波電感并降低了 PFC模塊關(guān)斷晶體管的直流...
