KNP1906B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，RDS（開）在VGS=10V時(shí)為2.7m?...KNP1906B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，RDS（開）在VGS=10V時(shí)為2.7m?，在電源、光伏逆變器和鋰電保護(hù)板等應(yīng)用中具有出色的性能表現(xiàn)；1906場效應(yīng)管采用無...
KNB3308A場效應(yīng)管是一款漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A的出色器件，RDS（ON）值...KNB3308A場效應(yīng)管是一款漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A的出色器件，RDS（ON）值為6.2mΩ（在VGS=10V時(shí)為典型值），優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻特性能夠降低導(dǎo)通損耗，還具有高...
KNX3006A是一款高堅(jiān)固性的場效應(yīng)管，漏源擊穿電壓68V，漏極電流120A，表現(xiàn)出優(yōu)...KNX3006A是一款高堅(jiān)固性的場效應(yīng)管，漏源擊穿電壓68V，漏極電流120A，表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能；RDS（ON）=5.8mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低柵極電荷（107nC），經(jīng)過改進(jìn)...
KNX3106N場效應(yīng)管具有漏源擊穿電壓高達(dá)60V和漏極電流可達(dá)110A的強(qiáng)大特性，RDS（...KNX3106N場效應(yīng)管具有漏源擊穿電壓高達(dá)60V和漏極電流可達(dá)110A的強(qiáng)大特性，RDS（ON）在VGS為10V時(shí)表現(xiàn)出色，僅為7mΩ（典型值），表現(xiàn)出卓越的導(dǎo)通能力；采用了專有...
KCX2213A場效應(yīng)管是一款具有高堅(jiān)固性的SGT MOSFET技術(shù)產(chǎn)品，漏源擊穿電壓135V，...KCX2213A場效應(yīng)管是一款具有高堅(jiān)固性的SGT MOSFET技術(shù)產(chǎn)品，漏源擊穿電壓135V，漏極電流可達(dá)200A，表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能；RDS（ON）僅為2.9mΩ（典型值）@VGS=10V，具...
KCX2920K場效應(yīng)管是一款具有SGT MOSFET技術(shù)的優(yōu)質(zhì)器件，采用新型溝槽技術(shù)，漏源...KCX2920K場效應(yīng)管是一款具有SGT MOSFET技術(shù)的優(yōu)質(zhì)器件，采用新型溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓200V，漏極電流130A，表現(xiàn)出色；RDS（ON）為9.8mΩ（典型值）@VGS=10V，在...
