雙穩(wěn)態(tài)電路是我們經(jīng)常用于作為單鍵控制負(fù)載開(kāi)關(guān)電路。本文介紹一個(gè)由兩個(gè)MOS管...雙穩(wěn)態(tài)電路是我們經(jīng)常用于作為單鍵控制負(fù)載開(kāi)關(guān)電路。本文介紹一個(gè)由兩個(gè)MOS管構(gòu)成的低功耗雙穩(wěn)態(tài)電路。假設(shè)Q1的G極輸入是高電平，Q1導(dǎo)通，輸出低電平，低電平接到...
MOS管KNX3108A 80V110A-特征 RDS(ON)=5.5mΩ(Typ.)@VGS=10V 提供無(wú)鉛環(huán)保設(shè)備...MOS管KNX3108A 80V110A-特征 RDS(ON)=5.5mΩ(Typ.)@VGS=10V 提供無(wú)鉛環(huán)保設(shè)備 低RD-ON可將傳導(dǎo)損耗降至最低 大雪崩電流
出現(xiàn)死區(qū)的主要原因是因?yàn)镸OS管的源極和柵極之間的結(jié)電容。現(xiàn)在在柵極加上一個(gè)...出現(xiàn)死區(qū)的主要原因是因?yàn)镸OS管的源極和柵極之間的結(jié)電容?，F(xiàn)在在柵極加上一個(gè)門(mén)電路。當(dāng)門(mén)電路輸出的信號(hào)跳變的瞬間，電流是非常大的，會(huì)導(dǎo)致MOS管發(fā)熱，所以需要...
低內(nèi)阻MOS管 KIA3506A 60V70A產(chǎn)品特征 VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V 專(zhuān)...低內(nèi)阻MOS管 KIA3506A 60V70A產(chǎn)品特征 VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V 專(zhuān)為電動(dòng)自行車(chē)控制器應(yīng)用而設(shè)計(jì) 超低電阻 高UIS和UIS 100%測(cè)試
MOS管封裝失效原因 封裝，顧名思義是將集成電路包封起來(lái)，達(dá)到與外加隔離的目...MOS管封裝失效原因 封裝，顧名思義是將集成電路包封起來(lái)，達(dá)到與外加隔離的目的。在工程師的日常工作當(dāng)中，時(shí)不時(shí)會(huì)遇到一些MOS管封裝失效，本文總結(jié)了一些失效的...
常用小功率 低壓MOS管 KIA8606A-描述 KIA8606A是高密度溝槽N型MOSFETS，具有優(yōu)...常用小功率 低壓MOS管 KIA8606A-描述 KIA8606A是高密度溝槽N型MOSFETS，具有優(yōu)良的RDSON性能。和柵極充電為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用。KIA8606滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)和綠...
