也許極低阻值的電阻器（即mΩ級(jí)及以下）最常見的應(yīng)用是電流控制電路，因?yàn)槠涞?..也許極低阻值的電阻器（即mΩ級(jí)及以下）最常見的應(yīng)用是電流控制電路，因?yàn)槠涞妥柚悼山档凸β蕮p耗。對(duì)于這類應(yīng)用，大約10%-20%的容差就足夠了。但即使在這樣的容差...
電路工作流程如下： A、 Key按下瞬間，Q2、Q1導(dǎo)通，7805輸入電壓在8.9V左右，...電路工作流程如下： A、 Key按下瞬間，Q2、Q1導(dǎo)通，7805輸入電壓在8.9V左右，7805工作，輸出5V電壓給單片機(jī)供電。 B、單片機(jī)工作后，將最先進(jìn)行IO口初始化，IO1...
氮化鎵芯片組--它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級(jí)側(cè)開關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新...氮化鎵芯片組--它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級(jí)側(cè)開關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠?yàn)槭謾C(jī)、平板電腦和筆記本電腦設(shè)計(jì)出額定功率高達(dá)...
在許多中低功率應(yīng)用中，低側(cè)（接地參考）MOSFET由PWM控制IC的輸出引腳驅(qū)動(dòng)，以...在許多中低功率應(yīng)用中，低側(cè)（接地參考）MOSFET由PWM控制IC的輸出引腳驅(qū)動(dòng)，以切換感性負(fù)載。如果PWM輸出電路可以以可接受的開關(guān)時(shí)間驅(qū)動(dòng)MOSFET而不會(huì)耗散過多功率...
碳化硅設(shè)備或設(shè)備因在不久的將來有可能在電力電子設(shè)備（特別是大功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用...碳化硅設(shè)備或設(shè)備因在不久的將來有可能在電力電子設(shè)備（特別是大功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用）中替代硅的傳統(tǒng)設(shè)備而聞名。由于寬帶隙的可用性，高功率密度，較低的電阻和快速的...
許多高性能、高頻率的PWM控制芯片，無論是數(shù)字類型還是模擬類型，都不具備或只...許多高性能、高頻率的PWM控制芯片，無論是數(shù)字類型還是模擬類型，都不具備或只有有限的直接驅(qū)動(dòng)功率MOSFET的能力。因?yàn)楣β蔒OSFET對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電流有較高的要求，驅(qū)...
