KNX45100A場效應管-漏源擊穿電壓高達1000V，漏極電流最大值為6A；RDS (on) = 2...KNX45100A場效應管-漏源擊穿電壓高達1000V，漏極電流最大值為6A；RDS (on) = 2.0mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關損耗，低反向傳輸電容，開關速度快等優(yōu)點...
??KNX41100A場效應管-漏源擊穿電壓高達1000V，漏極電流最大值為2A，可替換2s...??KNX41100A場效應管-漏源擊穿電壓高達1000V，漏極電流最大值為2A，可替換2sk119；RDS (on) = 9.6mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關損耗，低反向傳輸電容...
KNX6990A 900V 18A場效應管參數(shù)：ID（A）：18A；BVdss（V）：900V；RDS (on) =...KNX6990A 900V 18A場效應管參數(shù)：ID（A）：18A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 0.65mΩ(typ)@VGS =10V。KNX6390A采用高級平面工藝，具有低電荷，低反向傳輸電容，...
S9018是一種小功率NPN型硅高頻三極管，常用于放大和開關電路。具有高功率增益、...S9018是一種小功率NPN型硅高頻三極管，常用于放大和開關電路。具有高功率增益、低噪聲特性、大動態(tài)范圍和理想的電流特性；屬于通用型晶體三極管。其一般用于分立元...
900V 12A場效應管6390A型號參數(shù)：ID（A）：12A；BVdss（V）：900V；RDS (on) =...900V 12A場效應管6390A型號參數(shù)：ID（A）：12A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 0.75mΩ(typ)@VGS =10V。KNX6390A采用高級平面工藝，具有低電荷，低反向傳輸電容，...
900V高壓MOS管4590A型號參數(shù)：ID（A）：6A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 1.6...900V高壓MOS管4590A型號參數(shù)：ID（A）：6A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 1.6mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷，低反向傳輸電容，開關速度快等優(yōu)點。封裝形式：TO-...
