KIA100N03場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V；...KIA100N03場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V；KIA100N03場效應管非常適合應用于小功率LED、鋰電池保護板等產(chǎn)品領(lǐng)域，KIA100N03場效...
KIA7P03A場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流為-7.5A；采用先進的高密度溝槽技...KIA7P03A場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流為-7.5A；采用先進的高密度溝槽技術(shù)，具有超低柵電荷、優(yōu)良的CDV / dt效應遞減等；封裝形式：SOP-8。KIA7P03A場效應管...
2306場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計...2306場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計、無鉛產(chǎn)品、堅固可靠；封裝形式：SOT-23。2306場效應管非常適合應用于LED感應燈、...
3415場效應管漏源擊穿電壓-16V，漏極電流為-4A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計...3415場效應管漏源擊穿電壓-16V，漏極電流為-4A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計、無鉛產(chǎn)品、堅固可靠；封裝形式：SOT-23。3415場效應管非常適合使用于蘋果充電頭、...
KIA2302漏源擊穿電壓20V，漏極電流為3A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計、無鉛...KIA2302漏源擊穿電壓20V，漏極電流為3A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計、無鉛產(chǎn)品、堅固可靠；封裝形式：SOT-23。KIA2302 20V 3A 0.065Ω SOT-23場效應管MOSFET能...
3401場效應管漏源電壓-30V，漏極電流為-4A，3401采用先進的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良...3401場效應管漏源電壓-30V，漏極電流為-4A，3401采用先進的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS(on)，低柵極電荷工作電壓低至2.5V。該器件適用于作為負載開關(guān)或PWM應用程序。...
