MOS二極管在半導體器件在物理中占有極其重要的地位，因為它是研究半導體表面特...MOS二極管在半導體器件在物理中占有極其重要的地位，因為它是研究半導體表面特性最有用的器件之一．在實際應(yīng)用中．它是先進集成電路中最重要的MOSFFT器件的樞紐．...
線性電源的動態(tài)響應(yīng)非?？?，穩(wěn)壓性能好，只可惜其功率轉(zhuǎn)換效率太低。要想提高效...線性電源的動態(tài)響應(yīng)非常快，穩(wěn)壓性能好，只可惜其功率轉(zhuǎn)換效率太低。要想提高效率，就必須使圖 1-2中的功率調(diào)整器件（即調(diào)整管）處于開關(guān)上作狀態(tài)，再對圖1-2所示...
MOSFET沒有存儲時間 ，只存一個關(guān)斷延遲時間 。關(guān)斷延遲時間是柵極電壓從最高電...MOSFET沒有存儲時間 ，只存一個關(guān)斷延遲時間 。關(guān)斷延遲時間是柵極電壓從最高電壓（約為OV ） 下降到電壓 Vd1 圖 9.3 b所需的時間 。在這個時間段內(nèi)漏極電流保持不...
MOSFET 管還有N個方法 ，就是設(shè)它的最大結(jié)點溫度一一比如說可以將其設(shè)為 100℃...MOSFET 管還有N個方法 ，就是設(shè)它的最大結(jié)點溫度一一比如說可以將其設(shè)為 100℃。然后假設(shè)一個合理的較低的 MOSFET 管結(jié)點到外殼的溫升 （ 這樣就小需里太低的外 殼...
它們大多應(yīng)用于低功 率場合 ，這些電路通過各種方法來達到以 F兩個目標 ：①用...它們大多應(yīng)用于低功 率場合 ，這些電路通過各種方法來達到以 F兩個目標 ：①用最少的元器件獲得反向基極電壓和反向基極電流，或者在關(guān)斷和導通的過相巾將基極和發(fā)...
如上所述 ，柵極驅(qū)動電路必須能輸出電流 ，即成為 “ 源”。同時，為了提供柵極...如上所述 ，柵極驅(qū)動電路必須能輸出電流 ，即成為 “ 源”。同時，為了提供柵極反向電 壓，驅(qū)動電路必須能從柵極抽取電流 ，即成為 “ 匯”。大部分早期的 PWM 芯...
