集成化的柵極驅(qū)動(dòng)器件 ?? ?在理論上，集成化的柵極驅(qū)動(dòng)器件的應(yīng)用更為...集成化的柵極驅(qū)動(dòng)器件 ?? ?在理論上，集成化的柵極驅(qū)動(dòng)器件的應(yīng)用更為普遍。用于VMOS驅(qū)動(dòng)的集成化器件大致有圖5. 84所示的幾類(lèi)，它們的基本特性如表5.9所...
4個(gè)MOS晶體管，所以如式(7.2)所示的那樣，在飽和區(qū)下作的MOS晶體管的柵極源極之...4個(gè)MOS晶體管，所以如式(7.2)所示的那樣，在飽和區(qū)下作的MOS晶體管的柵極源極之間的閾值電壓VT上必需加額外的電壓△ov。圖7.4所示的柵源電流源電路中，處于監(jiān)視側(cè)...
在很多，隋況下，MOS晶體管的源極與基底是等電位的。其結(jié)果，使圖1.31中基底（...在很多，隋況下，MOS晶體管的源極與基底是等電位的。其結(jié)果，使圖1.31中基底（襯底或者阱）與溝道間的pn結(jié)處于零偏置。當(dāng)源極—基底間加反向（或者正向）偏置電壓...
PMOS晶體管是在n型基底上構(gòu)成p+型的源區(qū)和漏區(qū)。假如采用p型硅襯底，如圖1.19所...PMOS晶體管是在n型基底上構(gòu)成p+型的源區(qū)和漏區(qū)。假如采用p型硅襯底，如圖1.19所示，在p型襯底上先作成n型基底，把這個(gè)n型區(qū)域稱(chēng)為n阱( well)。
MOS晶體管的符號(hào)示于圖1.3。MOS晶體管是四端器件：源極(S)、柵極(G)、漏極(D)，...MOS晶體管的符號(hào)示于圖1.3。MOS晶體管是四端器件：源極(S)、柵極(G)、漏極(D)，以及基底端(B)?；锥嗽贜MOS晶體管中通常銜接電路的負(fù)端電源電壓Vss，在PMOS晶體管...
工作頻率和驅(qū)動(dòng)信號(hào)的占空比不是很大，并且VMOS的功率規(guī)格也不是很大時(shí)，普通并...工作頻率和驅(qū)動(dòng)信號(hào)的占空比不是很大，并且VMOS的功率規(guī)格也不是很大時(shí)，普通并不需求為VMOS配置特地的驅(qū)動(dòng)電路。通用的CMOS半導(dǎo)體(互補(bǔ)金屬氧化物品體管邏輯IC)、...
