KPE4403B P溝道場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=40...KPE4403B P溝道場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=40mΩ，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，減少損耗；-5V邏輯電平控制、符合RoHS，高效穩(wěn)定可靠...
N溝道MOS管是以一個(gè)摻入了少量正離子的P型半導(dǎo)體做為襯底，然后在襯底上制作兩...N溝道MOS管是以一個(gè)摻入了少量正離子的P型半導(dǎo)體做為襯底，然后在襯底上制作兩個(gè)高濃度的N +區(qū)作為源極和漏極。隨后，在源極和漏極之間的絕緣層上制作金屬層作為柵...
MOS管結(jié)電容，是MOS管在極化時(shí)，于柵極與漏極/源極間形成的、能存儲(chǔ)電荷的電容...MOS管結(jié)電容，是MOS管在極化時(shí)，于柵極與漏極/源極間形成的、能存儲(chǔ)電荷的電容。它作為MOS管的關(guān)鍵參數(shù)，對(duì)管子的動(dòng)態(tài)功耗、響應(yīng)速度等特性有著決定性影響，
KIA840SB場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流8A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=0.7Ω，最...KIA840SB場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流8A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，減少損耗；低柵極電荷、開(kāi)關(guān)速度快，高效可靠；100%雪崩測(cè)試...
將輸入的交流電壓通過(guò)整流器整流成直流電壓，然后通過(guò)濾波器將直流電壓進(jìn)行濾波...將輸入的交流電壓通過(guò)整流器整流成直流電壓，然后通過(guò)濾波器將直流電壓進(jìn)行濾波，以保證輸出電流的穩(wěn)定性和平滑性。接下來(lái)，通過(guò)驅(qū)動(dòng)器將直流電壓轉(zhuǎn)換為適合LED的...
該橋電路由兩個(gè)P型場(chǎng)效應(yīng)管Q2和兩個(gè)N型場(chǎng)效應(yīng)管Q4組成，因此被稱(chēng)為P-NMOS管H橋...該橋電路由兩個(gè)P型場(chǎng)效應(yīng)管Q2和兩個(gè)N型場(chǎng)效應(yīng)管Q4組成，因此被稱(chēng)為P-NMOS管H橋。這些場(chǎng)效應(yīng)管在橋臂上充當(dāng)開(kāi)關(guān)的角色，其中P型管在柵極電壓為低時(shí)導(dǎo)通，高時(shí)關(guān)閉；...
