用半橋/全橋驅(qū)動(dòng)芯片和MOS管搭建合適的H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)對(duì)大電流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)...用半橋/全橋驅(qū)動(dòng)芯片和MOS管搭建合適的H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)對(duì)大電流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制。該電機(jī)驅(qū)動(dòng)板有兩個(gè)H橋電路，可以同時(shí)控制雙路電機(jī)。可通過(guò)相應(yīng)的控制信號(hào)來(lái)控...
Vov：過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓overdrive voltage，Vov=Vgs-Vth，過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓也用Vod表示 Vds...Vov：過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓overdrive voltage，Vov=Vgs-Vth，過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓也用Vod表示 Vdsat:飽和漏源電壓或夾斷時(shí)漏源電壓（剛出現(xiàn)夾斷）saturation drain voltage
MOS管2810 參數(shù)100V150A產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=5.0mΩ@VGS=10V 超高密度電池設(shè)計(jì) ...MOS管2810 參數(shù)100V150A產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=5.0mΩ@VGS=10V 超高密度電池設(shè)計(jì) 超低導(dǎo)通電阻 雪崩測(cè)試100% 提供無(wú)鉛和綠色設(shè)備（符合RoHS）
功率管開(kāi)關(guān)管箝位電路原理如圖1所示，當(dāng)開(kāi)關(guān)管Q開(kāi)通時(shí),電容Cs兩端壓降為晶體管...功率管開(kāi)關(guān)管箝位電路原理如圖1所示，當(dāng)開(kāi)關(guān)管Q開(kāi)通時(shí),電容Cs兩端壓降為晶體管飽和壓降,接近于零。開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),二極管將電阻Rs短路為電感電流iL提供放電通道，電...
高邊（HS）MOSFET則通過(guò)RG_EXT連接?xùn)艠O引腳和源極引腳或驅(qū)動(dòng)器源極引腳，并且僅...高邊（HS）MOSFET則通過(guò)RG_EXT連接?xùn)艠O引腳和源極引腳或驅(qū)動(dòng)器源極引腳，并且僅用于體二極管的換流工作。在電路圖中，實(shí)線是連接到源極引腳的示意圖，虛線是連接到...
下圖中的電路不難在面包板上搭出來(lái)，最好把功率器件（PROFET或MOSFET）單獨(dú)放在...下圖中的電路不難在面包板上搭出來(lái)，最好把功率器件（PROFET或MOSFET）單獨(dú)放在一塊板上，并配上散熱器。看看后面的實(shí)物電路照片，功率器件必須要和供電電源或者蓄...
