N溝道m(xù)os管 KIA2302 3A20V特性 VDS =20V,RDS(on) =0.065Ω@VGS =4.5V,ID =3.0...N溝道m(xù)os管 KIA2302 3A20V特性 VDS =20V,RDS(on) =0.065Ω@VGS =4.5V,ID =3.0A VDS =20V,RDS(on) =0.090Ω@VGS =2.5V,ID =2.0A
在28nm以下，由于最大器件長(zhǎng)度限制，模擬設(shè)計(jì)人員經(jīng)常要對(duì)多個(gè)短長(zhǎng)度的MOSFET串...在28nm以下，由于最大器件長(zhǎng)度限制，模擬設(shè)計(jì)人員經(jīng)常要對(duì)多個(gè)短長(zhǎng)度的MOSFET串聯(lián)來(lái)創(chuàng)建長(zhǎng)溝道的器件。這些串聯(lián)連接的器件通常被稱(chēng)為堆疊MOSFET或堆疊器件。
輸入失調(diào)電壓Vos(Voltage - Input Offset)，指的是為使運(yùn)算放大器輸出端為0V所...輸入失調(diào)電壓Vos(Voltage - Input Offset)，指的是為使運(yùn)算放大器輸出端為0V所需加于兩輸入端間之補(bǔ)償電壓。理想之運(yùn)算放大器其Vos應(yīng)該為0V。
功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通（不希望發(fā)生的事件）的機(jī)率比我們的預(yù)計(jì)更高，造成的損...功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通（不希望發(fā)生的事件）的機(jī)率比我們的預(yù)計(jì)更高，造成的損失也更大。寄生導(dǎo)通通常會(huì)損壞MOSFET，且之后很難查出故障的根源。寄生導(dǎo)通機(jī)制取決...
在此，R1和C1對(duì)晶體管Q4構(gòu)成一個(gè)適度的濾波器。Q5發(fā)射極上的3.3V電壓將對(duì)Q4的基...在此，R1和C1對(duì)晶體管Q4構(gòu)成一個(gè)適度的濾波器。Q5發(fā)射極上的3.3V電壓將對(duì)Q4的基極發(fā)射極結(jié)產(chǎn)生反向偏置，并使電流通過(guò)R11流向Q4的基極。流經(jīng)Q4的電流驅(qū)動(dòng)Q3和Q2，...
與MOSFET相關(guān)的三個(gè)電容的基本定義如圖1a和1b所示。以VDS的函數(shù)的方式測(cè)量這些...與MOSFET相關(guān)的三個(gè)電容的基本定義如圖1a和1b所示。以VDS的函數(shù)的方式測(cè)量這些電容并不是一件直截了當(dāng)?shù)墓ぷ鳎诖诉^(guò)程中需要它們中的某些被短路或開(kāi)路（left flo...
