MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪...MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛的...
KIA3400采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（on），低柵極電荷并在低至2.5V的柵...KIA3400采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（on），低柵極電荷并在低至2.5V的柵極電壓下運(yùn)行。該裝置適用于負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品KIA3400是無鉛的（符合ROH...
相移全橋電路中輕負(fù)載時(shí)流過的電流小，LS中積蓄的能量少，所以很有可能在滯后臂...相移全橋電路中輕負(fù)載時(shí)流過的電流小，LS中積蓄的能量少，所以很有可能在滯后臂的COSS充放電完成之前就開始開關(guān)工作。因此，ZVS工作無法執(zhí)行，很容易發(fā)生MOSFET的...
例如，許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結(jié)構(gòu)，而小于200V...例如，許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結(jié)構(gòu)，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)耐受電壓VDSS＝600V時(shí)，Rdrift成為主...
N溝道3.5A30V KIA2306 MOS管特征 VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D ...N溝道3.5A30V KIA2306 MOS管特征 VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D =3.5A VDS =30V,R DS(on) =0.094Ω@V GS =4.5V,I D =2.8A 功率MOSFET 100%測(cè)試
通過模型導(dǎo)出的器件Model通常是一個(gè)四端口網(wǎng)絡(luò)，這是在實(shí)際器件中襯底也是需要...通過模型導(dǎo)出的器件Model通常是一個(gè)四端口網(wǎng)絡(luò)，這是在實(shí)際器件中襯底也是需要接參考的。 通常NMOS器件襯底接地（或最低電平），相對(duì)應(yīng)PMOS器件襯底接電源（或最...
