金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi)， P溝道硅MOS場(chǎng)效...金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi)， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加...
CMOS反相器，上方PMOS的柵極與下方NMOS的柵極相連，兩種器件皆為加強(qiáng)型MOSFET；...CMOS反相器，上方PMOS的柵極與下方NMOS的柵極相連，兩種器件皆為加強(qiáng)型MOSFET；對(duì)PMOS器件而言，閾值電壓VTn小于零，而對(duì)NMOS器件而言，閾值電壓VTn大于零（通常閾...
MOSFET是ULSI電路中最主要的器件，由于它可比其他品種器件減少至更小的尺寸. M...MOSFET是ULSI電路中最主要的器件，由于它可比其他品種器件減少至更小的尺寸. MOSFET的主要技術(shù)為CMOS(CMOSFET，complementary MOSFET)技術(shù)，用此技術(shù)，n溝道與p溝...
N溝MOS晶體管：襯底為P型，源漏為重?fù)诫s的N＋，溝道中載流子為電子。P溝MOS晶體...N溝MOS晶體管：襯底為P型，源漏為重?fù)诫s的N＋，溝道中載流子為電子。P溝MOS晶體管：襯底為N型，源漏為重?fù)诫s的P＋，溝道中載流子為空穴。在正常青況下，只需一種類(lèi)...
大部分MOSFET管指定了最大柵源極間電壓(±20V）。假定超越這個(gè)限制，器件就容易...大部分MOSFET管指定了最大柵源極間電壓(±20V）。假定超越這個(gè)限制，器件就容易被損壞。當(dāng)MOSFET管工作時(shí)運(yùn)用柵極輸入電阻，并在一個(gè)具有較大供電電壓的電路中關(guān)斷...
在驅(qū)動(dòng)MOS晶體管Q2導(dǎo)通期間的開(kāi)始部分，D1和S2將導(dǎo)通。但是當(dāng)Ql已經(jīng)關(guān)斷并且基...在驅(qū)動(dòng)MOS晶體管Q2導(dǎo)通期間的開(kāi)始部分，D1和S2將導(dǎo)通。但是當(dāng)Ql已經(jīng)關(guān)斷并且基—射結(jié)間的恢復(fù)電流已經(jīng)變?yōu)榱愕臅r(shí)候，在繞組P2的電壓通過(guò)R1使Dl和S2反偏關(guān)斷。所有...
