接通電源開關后，市電電壓經整流、濾波后，獲得約300V的直流電壓，一路經開關變...接通電源開關后，市電電壓經整流、濾波后，獲得約300V的直流電壓，一路經開關變壓器的一次繞組送到開關管的漏極；另一路經R1、R2對C1進行充電，當C1兩端電壓達到一...
在功率變換市場中，尤其對于通信/服務器電源應用，不斷提高功率密度和追求更高...在功率變換市場中，尤其對于通信/服務器電源應用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經成為具挑戰(zhàn)性的議題。對于功率密度的提高，普遍方法就是提高開關頻率，以便...
輸出電流控制技術隨半導體開關的進步而發(fā)展。對大多數負載管理電路來說，MOSFE...輸出電流控制技術隨半導體開關的進步而發(fā)展。對大多數負載管理電路來說，MOSFET晶體管正在迅速取代繼電器成為所選擇的開關技術。
即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調整容量時，任務關鍵的伺服器和通信...即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調整容量時，任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)...
這種雙P溝道MOSFET是KIA先進的P溝道工藝的一個堅固的柵極版本。它已針對需要大...這種雙P溝道MOSFET是KIA先進的P溝道工藝的一個堅固的柵極版本。它已針對需要大范圍給定驅動電壓的電源管理應用進行了優(yōu)化。額定值（4.5 V–20 V）。
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內實現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通（ZVS）...LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內實現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通（ZVS），MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS，需要滿足以下三個...
