mos管KIA4N65H-產(chǎn)品特征：1、RDS(on)=2.5?@VGS=10V 2、低門電荷（典型的16nC...mos管KIA4N65H-產(chǎn)品特征：1、RDS(on)=2.5?@VGS=10V 2、低門電荷（典型的16nC） 3、高韌性 4、快速切換 5、N100%雪崩試驗(yàn) 6、改進(jìn)的dv/dt能力
介紹低功耗mos管供應(yīng)商信息及MOS管選型及參數(shù)資料介紹，隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)和微電子...介紹低功耗mos管供應(yīng)商信息及MOS管選型及參數(shù)資料介紹，隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)和微電子技術(shù)的迅速發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣泛。節(jié)能是全球化的熱潮，如計(jì)算機(jī)里的...
mos管KIA2302-產(chǎn)品主要參數(shù)：1、產(chǎn)品型號(hào)：KIA2302 2、工作方式：3.0A/20V ...mos管KIA2302-產(chǎn)品主要參數(shù)：1、產(chǎn)品型號(hào)：KIA2302 2、工作方式：3.0A/20V 3、漏源極電壓：20V 4、柵源電壓：±8V 5、脈沖漏電流：10A 6、連續(xù)電源電流（二...
P溝道m(xù)osfet的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的...P溝道m(xù)osfet的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道m(xù)osfet。此外，P溝道m(xù)osfet閾值電壓的絕對(duì)值普通...
深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)...深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企...
MOS管導(dǎo)通電阻小，可以降低導(dǎo)通時(shí)的功耗。但無論什么元件器件，追求某項(xiàng)指標(biāo)必...MOS管導(dǎo)通電阻小，可以降低導(dǎo)通時(shí)的功耗。但無論什么元件器件，追求某項(xiàng)指標(biāo)必會(huì)影響其它指標(biāo)。以MOS管來說，高耐壓與低電阻是矛盾的，不可兼得，所以不能說導(dǎo)通電...
