4N60mos管現(xiàn)貨供應商 KIA4N60 4A/600V參數 PDF文件下載-KIA 官網
信息來源：本站 日期：2018-03-21
KIA4N60HN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如開關穩(wěn)壓器，開關變換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序
RDS（ON）= 2.3Ω@ VGS = 10v
低柵極電荷（典型的13.5nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
產品型號：KIA4N60
工作方式：4A/600V
漏源電壓：600V
柵源電壓：±30A
漏電流連續(xù)：4.0A
脈沖漏極電流：16A
雪崩電流：9.3mJ
雪崩能量：180mJ
耗散功率：93W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：600V
溫度系數：0.6V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：500PF
輸出電容：45PF
上升時間：32ns
封裝形式：TO-251、252、220、220F、262
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KIA4N60 |
| 產品編號 | KIA4N60 4A/600V |
| 產品特征 |
RDS（ON）= 2.3Ω@ VGS = 10v 低柵極電荷（典型的13.5nc） 高耐用性 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
適用功率開關應用，如開關穩(wěn)壓器，開關變換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序等 |
| 封裝形式 | TO-251、252、220、220F、262 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | www.kiaic.com |
| PDF頁總數 | 總6頁 |
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