MOS管構成的存儲矩陣-ROM與RAM重點分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-02-28
半導體存儲器是一種能存儲大量二值信息的半導體器件。按存儲功能可分為只讀存儲器(ROM)和隨機存儲器（RAM）
只讀存儲器按寫入方式一般分為三種：固定內容ROM、可編程ROM和可擦除型的EPROM
ROM的基本結構如圖所示
地址譯碼器相當于最小項譯碼器。而存儲單元是由N溝道增強型MOS管構成的，可以理解為有MOS管存在，則其單元內存儲的信息為1。
地址譯碼器相當于“與邏輯矩陣”，ROM 存儲矩陣相當于“或邏輯矩陣”，整個存儲器是一個“與或”矩陣。一般情況下，“與矩陣”是不可編程，而“或矩陣”是可編程的。
若ROM有n條地址線，m條位線，則ROM矩陣的存儲容量等于2n×m。
簡單了解掩模ROM、PROM、EPROM、E2PROM和快閃存儲器(Flash Memory)的功能，不做重點。
EEPROM典型芯片2864A的芯片引腳如圖所示
A0～A12為地址譯碼輸入端，I/O0~I/O7為8位數(shù)據(jù)輸入輸出端，CE為片選端，為寫使能端，為讀使能端。2864A共有213條字線，8條位線，其 存儲容量為213×8bit(8K byte)。
EEPROM 2864的工作方式如圖所示
此外Flash Memory芯片的引腳圖和工作方式也要理解掌握。
RAM按工作原理分為靜態(tài)隨機存儲器SRAM和動態(tài)隨機存儲器DRAM。
1、ROM的基本結構和工作原理
ROM的基本結構和工作方式如圖所示
SRAM和DRAM的結構和功能對比
SRAM:以觸發(fā)器為基本存儲單元，所以只要不掉電，其所存信息就不會丟失。該類芯片的集成度不如DRAM， 功耗也比DRAM高，但它的速度比DRAM快，也不需要刷新電路。一般用于構成高速緩沖存儲器 。
DRAM:一般用MOS型動態(tài)存儲單元構成，結構簡單，集成度高。但是，如果不及時進行刷新，極間電容中的電 荷會在很短時間內自然泄漏，致使信息丟失。所以，必須為它配備專門的刷新電路。
2、DRAM的刷新方式有三種，了解就好，不做重點。
61LV25616芯片的引腳圖和功能表如圖所示
地址線為18根A0～A17，I/O0～I/O15為16位寫入/讀出數(shù)據(jù)線，其容量為218×16 bit=256k×16 bit
1、 位數(shù)的擴展
適用于每片RAM或ROM字數(shù)夠用而位數(shù)不夠時。
接法：將各片對應的地址線、片選端、讀寫控制端分別接在一起，各片的數(shù)據(jù)輸出端并行使用即可。
例：用2片2114(1024×4bit)RAM構成1024×8bit的RAM
2、數(shù)夠用而字數(shù)不夠時
接法：將各片對應的地址線、讀寫控制端和數(shù)據(jù)輸出端分別接在一起，各片的片選信號由附加地址位譯出。
例: 用2片2114(1024×4bit)RAM構成2048×4bit的RAM
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