4665現(xiàn)貨供應(yīng)商 KNF4665 7A/650V PDF文件 4665參數(shù)詳細(xì)資料-KIA 官網(wǎng)
信息來(lái)源：本站 日期：2018-02-07
功率MOSFET采用起亞的高級(jí)平面條形DMOS工藝生產(chǎn)。這種先進(jìn)的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設(shè)備非常適合于高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正的基礎(chǔ)上半橋拓?fù)洹?/span>
KNF4665特征
7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V
低柵極電荷（典型的25nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測(cè)試
改進(jìn)的dv / dt的能力
KNF4665參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào)：KNF4665
工作方式：7A/650V
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：7.5A
脈沖漏極電流：30A
雪崩能量：21mJ
耗散功率：147W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：650V
溫度系數(shù)：0.65V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：970 PF
輸出電容:40 PF
上升時(shí)間：21 ns
封裝形式：TO-220、TO-220F
 |
KNF4665 |
| 產(chǎn)品編號(hào) | KNF4665（7A 650V） |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產(chǎn)品工藝 | 功率MOSFET采用起亞的高級(jí)平面條形DMOS工藝生產(chǎn)。這種先進(jìn)的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設(shè)備非常適合于高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正的基礎(chǔ)上半橋拓?fù)?br /> |
| 產(chǎn)品特征 |
7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V 低柵極電荷（典型的25nc） 高耐用性 快速切換 100%雪崩測(cè)試 改進(jìn)的dv / dt的能力 |
| 適用范圍 | 主要適合于高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正的基礎(chǔ)上半橋拓?fù)?br /> |
| 封裝形式 | TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
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| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | m.8090abc.com |
| PDF頁(yè)總數(shù) | 總6頁(yè) |
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