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10N80現(xiàn)貨供應商 KIA10N80 10A/800V KIA10N80 PDF下載 -KIA官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-02-03 

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KIA10N80參數(shù)

功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這先進已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的開關。性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲



KIA10N80特點

RDS(on) =0.85? @ VGS =10V

低柵極電荷(典型的63nc)

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力

ESD能力提高


產(chǎn)品型號:KIA10N80

工作方式:10A/800V

漏源電壓:800V

柵源電壓:±25V

漏電流連續(xù):10A

脈沖漏極電流:40A

雪崩能量:350mJ

耗散功率:42W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:800V

溫度系數(shù):0.8V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:2230 PF

輸出電容:135 PF

上升時間:35 ns

封裝形式:TO-220F、TO-3P



KIA10N80(10N80
產(chǎn)品編號 KIA10N80/HF/HH
FET極性 N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝 功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這先進已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的開關。性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖
產(chǎn)品特征

RDS(on) =0.85? @ VGS =10V

低柵極電荷(典型的63nc)

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力

ESD能力提高

適用范圍 主要合于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲
封裝形式 TO-220F、TO-3P
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廠家 KIA原廠家
網(wǎng)址 m.8090abc.com
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聯(lián)系方式:鄒先生

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QQ:2880195519

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