KIA9N90參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用半導(dǎo)體專(zhuān)有的，平面條形DMOS技術(shù)，這種先進(jìn)的技術(shù)已特別量身定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，并承受高雪崩和換相模式下的能量脈沖。這些設(shè)備非常適合高效率。開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正，半橋式電子鎮(zhèn)流器拓?fù)?/span>。

特點(diǎn)

9a，900V，RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V

低柵電荷（典型的70數(shù)控）

Low Crss（典型的14pf）

快速切換

100%雪崩測(cè)試

改進(jìn)的dt／dt能力

符合RoHS

產(chǎn)品型號(hào)：KIA9N90

工作方式：9A/900V

漏源電壓：900V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：9.0A

脈沖漏極電流：36A

雪崩能量：900mJ

耗散功率：280W

熱電阻：40℃/W

漏源擊穿電壓：900V

柵極閾值電壓：3.0V

輸入電容：2780 PF

輸出電容：228 PF

上升時(shí)間：130 ns

封裝形式：TO-3P、TO-247

	KIA9N90（9A/900V）
產(chǎn)品編號(hào)	KIA9N90/HF/Hm/SF
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用半導(dǎo)體專(zhuān)有的，平面條形DMOS技術(shù)，這種先進(jìn)的技術(shù)已特別量身定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，并承受高雪崩和換相模式下的能量脈沖。
產(chǎn)品特性	9a，900V，RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V 低柵電荷（典型的70數(shù)控） Low Crss（典型的14pf）快速切換 100%雪崩測(cè)試改進(jìn)的dt／dt能力符合RoHS
適用范圍	主要適用于高效率。開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正，半橋式電子鎮(zhèn)流器拓?fù)?/strong>
封裝形式	TO-3P、TO-247
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