KIA9N90參數(shù)

N溝道增強型功率場效應晶體管是使用半導體專有的，平面條形DMOS技術，這種先進的技術已特別量身定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的開關性能，并承受高雪崩和換相模式下的能量脈沖。這些設備非常適合高效率。開關電源，有源功率因數(shù)校正，半橋式電子鎮(zhèn)流器拓撲。

特點

9a，900V，RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V

低柵電荷（典型的70數(shù)控）

Low Crss（典型的14pf）

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt／dt能力

符合RoHS

產品型號：KIA9N90

工作方式：9A/900V

漏源電壓：900V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：9.0A

脈沖漏極電流：36A

雪崩能量：900mJ

耗散功率：280W

熱電阻：40℃/W

漏源擊穿電壓：900V

柵極閾值電壓：3.0V

輸入電容：2780 PF

輸出電容：228 PF

上升時間：130 ns

封裝形式：TO-3P、TO-247

	KIA9N90（9A/900V）
產品編號	KIA9N90/HF/Hm/SF
FET極性	N溝道MOSFET
產品工藝	N溝道增強型功率場效應晶體管是使用半導體專有的，平面條形DMOS技術，這種先進的技術已特別量身定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的開關性能，并承受高雪崩和換相模式下的能量脈沖。
產品特性	9a，900V，RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V 低柵電荷（典型的70數(shù)控） Low Crss（典型的14pf）快速切換 100%雪崩測試改進的dt／dt能力符合RoHS
適用范圍	主要適用于高效率。開關電源，有源功率因數(shù)校正，半橋式電子鎮(zhèn)流器拓撲
封裝形式	TO-3P、TO-247
PDF文件	【直接在線預覽】
LOGO
廠家	KIA 原廠家
網址	m.8090abc.com
PDF頁數(shù)	總7頁