40N06現貨供應商 KIA40N06 PDF文件下載 40N06參數資料-KIA官網
信息來源：本站 日期：2018-01-25
特點：
RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V
先進的高密度溝槽技術
超級Low Gate Charge
優(yōu)良的CDV / dt效應遞減
100% EAS保證
綠色的可用設備
應用：
MB /鈮/VGA負載同步Buck變換器高頻點
網絡化DC-DC電源系統(tǒng)
液晶/ LED背光燈
產品型號：KIA40N06
工作方式：38A、60V
漏流電壓：60V
柵源電壓（連續(xù)）：±20V
連續(xù)漏電流：38A
脈沖漏極電流：80A
雪崩能量：28A
熱電阻：62℃/W
漏源擊穿電壓：60V
溫度系數：0.057
柵極閾值電壓：1.2V
輸入電容：2423 PF
輸出電容：145 PF
上升時間：2.2 ns
封裝形式：TO-251、TO-252
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KIA 40N06(38A 60V) |
| 產品編號 | KIA40N06BD/BU |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產品工藝 |
kia40n06b最高性能的溝道MOSFET與極端高細胞密度，為大多數的同步降壓轉換器，優(yōu)良的導通電阻和柵極電荷應用，kia40n06b符合ROHS環(huán)保和綠色產品的要求，保證100% EAS全功能可靠性認證。 |
| 產品特征 |
RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V 先進的高密度溝槽技術 超級Low Gate Charge 優(yōu)良的CDV / dt效應遞減 100% EAS保證 綠色的可用設備 |
| 適用范圍 |
主要使用于MB /鈮/VGA負載同步Buck變換器高頻點 網絡化DC-DC電源系統(tǒng) 液晶/ LED背光燈 |
| 封裝形式 | TO-251、TO-252 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA 原廠家 |
| 網址 | www.kiaic.com |
| PDF總頁數 | 總5頁 |
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