推挽電壓尖峰高原因及解決方法分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-03
推挽變換器電壓尖峰高主要由變壓器漏感和功率管關(guān)斷時的電流突變引起。
在推挽電路中，當(dāng)功率管關(guān)斷時，變壓器漏感儲存的能量無法快速釋放，導(dǎo)致電流突變，在功率管漏極產(chǎn)生尖峰電壓。若漏感能量較大，可能損壞功率管(如MOSFET)。
通常推挽拓撲中功率管選用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是電流而是電壓，這正是由于推挽變換器漏感所致。
1、在每個開關(guān)管的并聯(lián)位置添加反并聯(lián)二極管。這樣做可以在開關(guān)管關(guān)斷時提供一個回路，使電感中的能量得以釋放，從而降低尖峰電壓的幅值。
2、使用瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。TVS是一種保護元件，能夠抑制瞬態(tài)過電壓。將其連接在推挽電路中，可以在尖峰電壓出現(xiàn)時提供一個低阻抗通路，將過電壓引導(dǎo)到地，保護其他元件不受損壞。
3、在推挽電路的輸出端添加合適的濾波電路，如LC濾波器或RC濾波器，以對尖峰電壓進行濾波和衰減。選擇合適的電感和電容值可以實現(xiàn)對尖峰電壓的有效控制。
處理尖峰電壓的方法需要根據(jù)具體的推挽電路設(shè)計和應(yīng)用需求來選擇。同時，尖峰電壓的幅值和頻率也非常重要，必須確保所選的處理方法能夠有效地降低尖峰電壓，并保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
電壓尖峰高改善方法
優(yōu)化電路設(shè)計
降低變壓器漏感：通過優(yōu)化繞組布局和參數(shù)設(shè)計減少漏感。
增加吸收電路：在功率管漏極接入RCD吸收電路或TVS二極管，抑制尖峰電壓。
控制驅(qū)動信號
采用軟開關(guān)技術(shù)：通過控制占空比和死區(qū)時間，使功率管在關(guān)斷前降低電流變化率，減少尖峰。
同步驅(qū)動信號：確保兩只功率管切換時無重疊區(qū)域，避免偏磁引起的額外尖峰。
器件選擇
選用耐壓更高的功率管：根據(jù)輸出電壓選擇余量充足的器件。
優(yōu)化PCB布局：降低分布電感影響，確保功率管漏極走線遠離高頻信號線。
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