逆變器mos管,40a300v場效應管,KNP9130B參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-04-21
逆變器專用MOS管KNP9130B采用專有新型平面技術，漏源擊穿電壓300V，漏極電流40A，低導通電阻RDS(開啟) 0.12Ω；具有低柵極電荷、快速恢復體二極管等特性，能夠在短時間內(nèi)完成導通和截止狀態(tài)的轉(zhuǎn)換，減少開關損耗，提高電源的轉(zhuǎn)換效率；廣泛應用于UPS、DC-AC逆變器、SMPS和電機控制、DC-DC轉(zhuǎn)換器領域，封裝形式：TO-220，穩(wěn)定可靠。
漏源電壓：300V
漏極電流：40A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：160A
雪崩能量單脈沖：1154MJ
總功耗：340W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：105nC
輸入電容：2830PF
輸出電容：280PF
反向傳輸電容：85PF
開通延遲時間：20nS
關斷延遲時間：55nS
上升時間：15ns
下降時間：18ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
