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信息來源:本站 日期:2025-03-21 

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hid安定器MOS管KIA3510AB漏源擊穿電壓100V,漏極電流75A,極低導通電阻RDS(開啟) 9mΩ,最大限度地減少導通損耗,低柵極電荷有助于降低開關損耗,性能優(yōu)越;100%雪崩測試,穩(wěn)定可靠;提供無鉛和綠色設備(符合RoHS標準);廣泛應用于汽車安定器、逆變電源、變頻應用等,封裝形式:TO-263,散熱良好,適合多種電路設計需求。

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hid安定器,75a100v,KIA3510AB參數

漏源電壓:75V

漏極電流:100A

柵源電壓:±25V

脈沖漏電流:219A

雪崩能量單脈沖:225MJ

功率耗散:166W

閾值電壓:3.0V

總柵極電荷:60nC

輸入電容:2946PF

輸出電容:339PF

反向傳輸電容:179PF

開通延遲時間:15nS

關斷延遲時間:51nS

上升時間:108ns

下降時間:59ns

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