高頻電路mos,2908場效應(yīng)管,KNP2908D參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-03-20
MOS管輸入阻抗高、開關(guān)速度快，成為高頻電路設(shè)計的核心器件。在射頻放大器中，增強(qiáng)型MOS管的柵極電容僅約1-5pF，配合低至10nH的引線電感，可實(shí)現(xiàn)GHz級別的信號處理能力。以某5G基站功放電路為例，采用LDMOS器件時，其輸出功率密度可達(dá)30W/mm，相比傳統(tǒng)雙極型晶體管提升約5倍。
KNP2908D場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.8mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，低電流以減少開關(guān)損耗，提高效率；具有卓越的電氣參數(shù)，高雪崩電流，能夠承受高功率負(fù)載；無鉛設(shè)備，綠色環(huán)保；產(chǎn)品采用專有的新型技術(shù)，具有更高的功率密度、效率和耐用性、更優(yōu)的導(dǎo)通電阻和品質(zhì)因數(shù)，廣泛應(yīng)用于電源切換應(yīng)用程序、硬交換和高頻電路、不間斷電源等；封裝形式：TO-220。
漏源電壓：80V
漏極電流：130A
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：500A
單脈沖雪崩能量：900MJ
功率耗散：246W
閾值電壓：3.0V
總柵極電荷：110nC
輸入電容：4500PF
輸出電容：640PF
反向傳輸電容：230PF
開通延遲時間：25nS
關(guān)斷延遲時間：40nS
上升時間：16ns
下降時間：52ns
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