逆變mos管,60v80amos管,KCD3406A場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-03-12
逆變器專用mos管KCD3406A漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，采用先進的LVMOS工藝技術生產，SGT MOSFET通過結構改進提升性能，在降低導通電阻和開關損耗方面表現出色，最大限度地降低導通電阻，RDS(開啟) =8.5mΩ；具有低柵電荷、低反饋電容、開關速度快、改進的dvdt功能，高效穩(wěn)定；廣泛應用于二次同步整流、逆變器電源管理，封裝形式：TO-252。
漏源電壓：60V
漏極電流：80A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：240A
雪崩能量單脈沖：81MJ
總功耗：63W
閾值電壓：2.0V
總柵極電荷：16.8nC
輸入電容：1065PF
輸出電容：430PF
反向傳輸電容：22PF
開通延遲時間：8nS
關斷延遲時間：19nS
上升時間：54ns
下降時間：8.8ns
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