PCPD電源,3403mos管,80a30v場效應(yīng)管,TO252,KND3403C-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-03-10
KND3403C場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流80A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，性能優(yōu)越；具備低柵極電荷、低反向傳輸電容，快速切換能力和改進(jìn)的dv/dt能力、100%雪崩測試，確保穩(wěn)定性和可靠性，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)工具、BMS、PD電源、PC電源中，封裝形式：TO-252，散熱良好，體積小便于安裝。
漏源電壓：30V
漏極電流：80A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：320A
雪崩能量單脈沖：306MJ
總功耗：83W
閾值電壓：1.6V
總柵極電荷：37.2nC
輸入電容：1972PF
輸出電容：214PF
反向傳輸電容：176PF
開通延遲時(shí)間：21nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：62nS
上升時(shí)間：16ns
下降時(shí)間：12ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號(hào)
關(guān)注官方微信公眾號(hào)：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。
