4820場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)引腳圖,200V 9A,KNX4820B中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-04-18
KNX4820B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓200V，漏極電流9A，采用了專有新型平面技術(shù)，是一款高性能的器件，RDS（ON），典型=250mΩ@VGS=10V，保證了穩(wěn)定的工作狀態(tài)、低柵極電荷的最小化設(shè)計(jì)，有效降低了開關(guān)損耗，提升了能效、配備快速恢復(fù)體二極管，有效提高器件的響應(yīng)速度和穩(wěn)定性；這些先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)讓KNX4820B能夠在各種應(yīng)用場(chǎng)景下發(fā)揮出色的性能，滿足不同領(lǐng)域的需求。
KNX4820B N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，如高效開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓?fù)涞碾娮訜翩?zhèn)流器。KNX4820B封裝形式：TO-252、TO-251。
漏源電壓：200V
漏極電流：9.0A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：250mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：36A
雪崩能量單脈沖：300MJ
最大功耗：83W
輸入電容：418PF
輸出電容：94PF
總柵極電荷：28nC
開通延遲時(shí)間：7.0nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：20nS
上升時(shí)間：6.0ns
下降時(shí)間：6.0ns
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