PD電源,mos管30v 85a,KNX3403B場效應(yīng)管中文資料-KIA MOS管

PD電源,mos管30v 85a,KNX3403B

PD電源熱銷MOS管KNX3403B是一種N溝道增強(qiáng)型功率Mosfet場效應(yīng)晶體管，使用KIA的LVMosfet技術(shù)生產(chǎn)。KNX3403B經(jīng)過改進(jìn)的工藝和單元結(jié)構(gòu)經(jīng)過特別定制，漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，RDS（打開）典型值=4.5mΩ（典型值）@VGS=10V，可最大限度地減少導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能；KNX3403B廣泛應(yīng)用于UPS、逆變器系統(tǒng)的電源管理。

KNX3403B 30v 85a參數(shù)場效應(yīng)管封裝形式有TO-252、DFN5*6兩種選擇，便于安裝使用，KNX3403B場效應(yīng)管還具有低柵極電荷、低Crss、快速切換、改進(jìn)的dv/dt能力等特性，低Rds開啟以最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗，確保各種電源應(yīng)用的性能穩(wěn)定可靠。

PD電源,mos管30v 85a,KNX3403B

PD電源,mos管30v 85a,KNX3403B參數(shù)

漏源電壓：30V

漏極電流：85A

柵源電壓：±20V

脈沖漏電流：340A

雪崩能量單脈沖：156MJ

最大功耗：71W

柵極閾值電壓：2V

輸入電容：2200PF

輸出電容：270 PF

開通延遲時(shí)間：11nS

關(guān)斷延遲時(shí)間：140nS

上升時(shí)間：87ns

下降時(shí)間：82ns

PD電源,mos管30v 85a,KNX3403B規(guī)格書

PD電源,mos管30v 85a,KNX3403B

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