70n08場效應管參數(shù),70n08場效應管代換,低壓MOS管-KIA MOS管

70n08場效應管參數(shù)代換KIA3407A

70n08場效應管代換KIA3407A漏源擊穿電壓70V，漏極電流為80A，VDSS=70V/ VGSS=+25V/ID=80A,,RDS(ON)=10.8mΩ(Max.)@VGS=10V；采用KIA半導體的先進的溝槽工藝技術生產(chǎn)；封裝形式：TO-263/220。

70n08場效應管代換KIA3407A超低導通電阻的高密度電池設計，提供了優(yōu)越的開關性能好，在雪崩和整流模式下能承受高能量脈沖，可靠、堅固耐用。KIA3407A 70V 80A場效應管適用于控制器、逆變器、鋰電池保護板等應用領域。

70n08場效應管參數(shù)代換KIA3407A引腳圖

70n08場效應管參數(shù)代換KIA3407A參數(shù)

工作方式：80A/70V

漏源電壓：70V

柵源電壓：±25A

漏電流連續(xù)：75A

脈沖漏極電流：300A

雪崩電流：80A

漏源擊穿電壓：70V

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：2200PF

輸出電容：470PF

上升時間：12ns

KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術型企業(yè)，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅(qū)動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產(chǎn)品。