50n06,50n06場效應管參數(shù),50n06場效應管代換-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-11-23
低內阻MOS管KIA50n06漏源擊穿電壓60V，漏極電流為50A，RDS(on) =10.5m@ VGS =10V；具有低Rds開啟，可將傳導損耗降至最低、高雪崩電流等特點；KIA50n06可以代換SQD50N06、FQP50N06等威世、仙童品牌場效應管型號進行使用，優(yōu)質國產原廠直銷。
KIA50n06 60V 50A應用領域有：電源、不間斷電源、電池管理系統(tǒng)等，50n06非常適合應用于電源適配器、開關電源、UPS電源、車載功放、電動工具、HID安定器等產品；提供無鉛綠色設備。KIA50n06封裝形式：TO-252、TO-251、TO-220。
產品型號：KIA50n06B
工作方式：50A/60V
漏流電壓：60V
柵源電壓（連續(xù)）：±25V
連續(xù)漏電流：50A
脈沖漏極電流：250A
雪崩能量：120A
功耗：88W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：60V
柵極閾值電壓：3V
輸入電容：2060 PF
輸出電容：755 PF
開通延遲時間：14nS
關斷延遲時間：20nS
上升時間：13 ns
下降時間：7.5ns
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