1200v 3a高壓mos管,電源應用,42120A引腳圖參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-08-30
KNX64100A場效應管-漏源擊穿電壓高達1200V，漏極電流最大值為3A；RDS (on) = 7mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關損耗，低反向傳輸電容，開關速度快等優(yōu)點，適用于適配器、充電器、SMPS備用電源等。封裝形式：TO-220、TO-220F、TO-252；腳位排列位GDS。
符合RoHS標準
RDS（ON），典型=7Ω@VGS=10V
低柵極電荷最小化開關損耗
快速恢復體二極管
適配器
充電器
SMPS備用電源
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術型企業(yè)，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產(chǎn)品。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯(lián)系刪除。
